А. А. Каминский, Г. Й. Эйхлер, К. Уеда, Й. Фернандес, Ю. Финдайзен, Р. Бальда, “Пикосекундное ВКР высокого порядка в лазерныx кристаллах-матрицах Gd3Ga5O12, Gd3Sc2Ga3O12 и Ca3(Nb,Ga)2Ga3O12 при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 25:11 (1998), 965–967 [Quantum Electron., 28:11 (1998), 939

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 11, страницы 965–967 (Mi qe1362)

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Письма в редакцию

Пикосекундное ВКР высокого порядка в лазерныx кристаллах-матрицах Gd₃Ga₅O₁₂, Gd₃Sc₂Ga₃O₁₂ и Ca₃(Nb,Ga)₂Ga₃O₁₂ при комнатной температуре

А. А. Каминский^a, Г. Й. Эйхлер^b, К. Уеда^c, Й. Фернандес^d, Ю. Финдайзен^b, Р. Бальда^d

^a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
^b Institut für Optik und Atomare Physik, Technische Universität Berlin, Germany
^c Institute for Laser Science, University of Electro-communications, Tokio, Japan
^d University of the Basque Country, Bilbao, Spain

PDF полного текста (177 kB) Список цитирования (10)

Аннотация: Впервые получена генерация на стоксовых и антистоксовых линиях высокого порядка в видимом и ближнем ИК диапазонах в лазерах на кубических кристаллических матрицах Gd₃Ga₅O₁₂, Gd₃Sc₂Ga₃O₁₂ и Ca₃(Nb,Ga)₂Ga₃O₁₂. Все компоненты вынужденного комбинационного излучения лазера идентифицированы как ВКР-активные колебательные моды указанных гранатов.

Поступила в редакцию: 01.10.1998

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1998, Volume 28, Issue 11, Pages 939–941
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1998v028n11ABEH001362

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.65.Dr, 42.70.Hj, 42.70.Mp

Образец цитирования: А. А. Каминский, Г. Й. Эйхлер, К. Уеда, Й. Фернандес, Ю. Финдайзен, Р. Бальда, “Пикосекундное ВКР высокого порядка в лазерныx кристаллах-матрицах Gd₃Ga₅O₁₂, Gd₃Sc₂Ga₃O₁₂ и Ca₃(Nb,Ga)₂Ga₃O₁₂ при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 25:11 (1998), 965–967 [Quantum Electron., 28:11 (1998), 939–941]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe1362

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i11/p965

Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	129
PDF полного текста:	62
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы