Излучатель на эрбиевом стекле с поперечной полупроводниковой накачкой и пассивной модуляцией добротности

Исследованы возможности излучателя на иттербий-эрбиевом стекле c пассивным модулятором добротности с накачкой от линеек лазерных диодов. Экспериментально установлено, что максимальная выходная энергия реализуется в случае, когда диаметр ТЕМ₀₀-моды составляет 0.65 — 0.77 от поперечного размера активного элемента. При использовании двух 100-ваттных линеек лазерных диодов с мощностью, не превышающей 70% от предельной, в моноимпульсе длительностью 50 нс при дифракционной расходимости излучения достигнута энергия 5 мДж при КПД (по энергии излучения накачки) 1.35%.