|
Квантовая электроника, 2007, том 37, номер 11, страницы 1001–1005
(Mi qe13542)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Лазеры
Влияние фемтосекундных импульсов сверхизлучения на спектры спонтанного излучения в гетероструктурах GaAs/AlGaAs
П. П. Васильевa, Х. Канb, Т. Хирумаb a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Central Research Laboratory, Hamamatsu Photonics K.K., Japan
Аннотация:
Проведено экспериментальное исследование спектров спонтанного излучения, сопровождающего генерацию фемтосекундных импульсов сверхизлучения в гетероструктурах GaAs/AlGaAs. Продемонстрировано в явном виде, что спектры спонтанного излучения электронно-дырочных пар, оставшихся в полупроводнике после формирования когерентного коллективного электронно-дырочного состояния, соответствуют сильному перегреву носителей заряда. Наблюдаемое явление может быть объяснено в рамках обнаруженного ранее эффекта динамического охлаждения и неравновесной конденсации коллективно спаренных носителей на дно зон в процессе сверхизлучения.
Поступила в редакцию: 19.02.2007
Образец цитирования:
П. П. Васильев, Х. Кан, Т. Хирума, “Влияние фемтосекундных импульсов сверхизлучения на спектры спонтанного излучения в гетероструктурах GaAs/AlGaAs”, Квантовая электроника, 37:11 (2007), 1001–1005 [Quantum Electron., 37:11 (2007), 1001–1005]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe13542 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v37/i11/p1001
|
|