| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 21 научных статьях (всего в 21 статьях) Лазеры Генерационные свойства кристаллов натрий-гадолиниевого вольфрамата NaGd(WO4)2, активированных ионами Tm3+ Е. В. Жариковab, Д. А. Лисb, А. В. Поповb, К. А. Субботинb, С. Н. Ушаковb, А. В. Шестаковc, И. М. Раздобреевd a Российский химико-технологический университет им. Д. И. Менделеева b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва c ООО Научно-производственный центр "ЭЛС-94", г. Москва d Centre d'Études et de Recherches Lasers et Application, Université des Sciences et Technologies de Lille, France
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2006, Volume 36, Issue 6, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE2006v036n06ABEH013276 
Реферативные базы данных:
    Образец цитирования: Е. В. Жариков, Д. А. Лис, А. В. Попов, К. А. Субботин, С. Н. Ушаков, А. В. Шестаков, И. М. Раздобреев, “Генерационные свойства кристаллов натрий-гадолиниевого вольфрамата NaGd(WO4)2, активированных ионами Tm3+”, Квантовая электроника, 36:6 (2006), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|