|
Квантовая электроника, 2006, том 36, номер 5, страницы 415–417
(Mi qe13240)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Нелинейно-оптические явления
О методе диагностики полупроводников при двухфотонном возбуждении биэкситонов
П. И. Хаджиab, Л. Ю. Надькинb a Институт прикладной физики АН Молдовы, г. Кишинев
b Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, г. Тирасполь
Аннотация:
Представлена версия однофотонного тестирования оптических свойств полупроводника в условиях, когда благодаря двухфотонному поглощению мощный импульс накачки возбуждает биэкситоны из основного состояния кристалла. Предсказана возможность существования лоренцоподобного пика поглощения и найден квазиполяритонный закон дисперсии в области, где отсутствует реальный энергетический уровень. Изучена временная эволюция полосы поглощения под действием ультракоротких импульсов.
Поступила в редакцию: 27.10.2005 Исправленный вариант: 10.03.2006
Образец цитирования:
П. И. Хаджи, Л. Ю. Надькин, “О методе диагностики полупроводников при двухфотонном возбуждении биэкситонов”, Квантовая электроника, 36:5 (2006), 415–417 [Quantum Electron., 36:5 (2006), 415–417]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe13240 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v36/i5/p415
|
|