Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2006, том 36, номер 8, страницы 720–726 (Mi qe13200)  

Эта публикация цитируется в 34 научных статьях (всего в 34 статьях)

Статьи, посвященные 90-летию академика А.М.Прохорова

Генерационные свойства ВКР-активных кристаллов молибдатов и вольфраматов, активированных ионами Nd3+ при селективной оптической накачке

Т. Т. Басиевa, М. Е. Дорошенкоa, Л. И. Ивлеваa, В. В. Осикоa, М. Б. Космынаb, В. К. Комарьb, Я. Шульцc, Х. Елинковаc

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Институт монокристаллов НАН Украины, г. Харьков
c Чешский Технический Университет в Праге
Аннотация: Исследована сравнительная эффективность генерации ионов неодима (Nd3+) в лазерных материалах, обладающих возможностью самопреобразования частоты в процессе ВКР. Исследовались генерационные свойства кристаллов вольфраматов и молибдатов со структурой шеелита (SrWO4, BaWO4, PbWO4, SrMoO4, PbMoO4), активированных ионами неодима, при продольной оптической накачке александритовым (длина волны генерации ~750 нм) или диодным (~800 нм) лазерами. Для лазера на кристалле PbMoO4:Nd3+, работающего на длине волны 1054 нм, получен дифференциальный КПД генерации 54.3% при полном КПД 46%, что является наилучшим результатом для всех исследованных кристаллов со структурой шеелита. Для лазеров на кристаллах SrWO4, PbWO4 и BaWO4 с неодимом, работающих в режиме модуляции добротности резонатора, была продемонстрирована одновременная лазерная генерация и самопреобразование в процессе ВКР генерируемого излучения.
Поступила в редакцию: 18.01.2006
Исправленный вариант: 06.04.2006
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2006, Volume 36, Issue 8, Pages 720–726
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2006v036n08ABEH013200
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Ye, 42.55.Rz, 42.60.Lh


Образец цитирования: Т. Т. Басиев, М. Е. Дорошенко, Л. И. Ивлева, В. В. Осико, М. Б. Космына, В. К. Комарь, Я. Шульц, Х. Елинкова, “Генерационные свойства ВКР-активных кристаллов молибдатов и вольфраматов, активированных ионами Nd3+ при селективной оптической накачке”, Квантовая электроника, 36:8 (2006), 720–726 [Quantum Electron., 36:8 (2006), 720–726]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe13200
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v36/i8/p720
  • Эта публикация цитируется в следующих 34 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024