Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2006, том 36, номер 8, страницы 702–712 (Mi qe13198)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Статьи, посвященные 90-летию академика А.М.Прохорова

Исследование процессов передачи энергии в кристаллах гадолиний-галлиевого граната, активированных ионами Yb3+ и Ho3+

А. М. Беловоловa, М. И. Беловоловa, Е. М. Диановa, М. А. Ивановb, В. В. Кочурихинb, В. В. Рандошкинb

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация: Проведено количественное исследование кинетик люминесценции доноров (Yb3+) и акцепторов (Но3+) в кристаллах гадолиний-галлиевого граната (GGG), активированных ионами Yb3+ и Но3+. Показано, что сенсибилизация переходов ионов Но3+ носит миграционно-ускоренный (прыжковый) характер. Определены значения микропараметров донор-донорного переноса энергии при температурах 300 и 77 К. При тех же температурах найдены микропараметры донор-акцепторного переноса энергии на первой ступени последовательной сенсибилизации (приводящей к заселению состояния 5I6 ионов Но3+), а также на второй ступени последовательной сенсибилизации перехода 5S2, 5F45I8 ионов Но3+. Для второй ступени сенсибилизации определены также значения микропараметра обратного переноса энергии. Обсуждаются перспективы получения в кристаллах GGG:Yb3+:Ho3+ лазерной генерации на сенсибилизированных переходах ионов Но3+ при накачке в полосу поглощения ионов Yb3+.
Поступила в редакцию: 12.04.2006
Исправленный вариант: 25.05.2006
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2006, Volume 36, Issue 8, Pages 702–712
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2006v036n08ABEH013198
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.70.Hj, 32.50.+d


Образец цитирования: А. М. Беловолов, М. И. Беловолов, Е. М. Дианов, М. А. Иванов, В. В. Кочурихин, В. В. Рандошкин, “Исследование процессов передачи энергии в кристаллах гадолиний-галлиевого граната, активированных ионами Yb3+ и Ho3+”, Квантовая электроника, 36:8 (2006), 702–712 [Quantum Electron., 36:8 (2006), 702–712]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe13198
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v36/i8/p702
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:282
    PDF полного текста:117
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024