Изготовление и исследование эпитаксиальных пленок GGG:Cr4+ для пассивных затворов неодимовых лазеров

Разработана эффективная технология выращивания монокристаллических пленок гадолиний-галлиевого граната, легированного ионами Cr и Ca, толщиной до 100 мкм на подложках большого диаметра (76 мм) методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Исследована зависимость спектров поглощения пленок и оптических потерь на длине волны 1 мкм от условий роста и состава раствора-расплава. Показано, что в пленках образуются ионы Cr⁴⁺, и эти пленки могут быть использованы в качестве пассивных модуляторов добротности в лазерных схемах.