|
Квантовая электроника, 2006, том 36, номер 7, страницы 620–623
(Mi qe13175)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Специальный выпуск, посвященный 90-летию академика А.М.Прохорова
Изготовление и исследование эпитаксиальных пленок GGG:Cr4+ для пассивных затворов неодимовых лазеров
Г. А. Буфетова, М. Ю. Гусев, И. А. Иванов, Д. А. Николаев, В. Ф. Серегин, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация:
Разработана эффективная технология выращивания монокристаллических пленок гадолиний-галлиевого граната, легированного ионами Cr и Ca, толщиной до 100 мкм на подложках большого диаметра (76 мм) методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Исследована зависимость спектров поглощения пленок и оптических потерь на длине волны 1 мкм от условий роста и состава раствора-расплава. Показано, что в пленках образуются ионы Cr4+, и эти пленки могут быть использованы в качестве пассивных модуляторов добротности в лазерных схемах.
Поступила в редакцию: 03.04.2006
Образец цитирования:
Г. А. Буфетова, М. Ю. Гусев, И. А. Иванов, Д. А. Николаев, В. Ф. Серегин, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков, “Изготовление и исследование эпитаксиальных пленок GGG:Cr4+ для пассивных затворов неодимовых лазеров”, Квантовая электроника, 36:7 (2006), 620–623 [Quantum Electron., 36:7 (2006), 620–623]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe13175 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v36/i7/p620
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 197 | PDF полного текста: | 121 | Первая страница: | 1 |
|