Прямое усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F2-

Создан усилитель пикосекундных импульсов с выходной мощностью до 10¹⁰ Вт и энергией до 30 мДж на длине волны λ = 1180 нм на основе кристаллов с центрами окраски LiF:F₂^-. Пробный пикосекундный сигнал с λ = 1180 нм, энергией 0.03 мДж и длительностью 3–5 пс создавался ВКР-излучением, полученным при внутрирезонаторном преобразовании частоты в лазере на кристалле KGd(WO₄)₂:Nd³⁺, работающем в режиме пассивной синхронизации мод. В качестве наносекундного излучения накачки кристаллов LiF:F₂^- используется излучение Nd:YLF-лазера (λ = 1053 нм) с последующим усилением в фосфатном стекле ГЛС-22 до энергии 5 Дж. Усиление пробных ВКР-импульсов происходит в четырехкристальном двухкаскадном усилителе на кристаллах LiF:F₂^- с общей длиной активной среды 360 мм по встречной схеме. Измерены зависимости выходной энергии излучения от энергии накачки и величины входного сигнала.