|
Квантовая электроника, 2006, том 36, номер 7, страницы 609–611
(Mi qe13171)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 73 научных статьях (всего в 73 статьях)
Специальный выпуск, посвященный 90-летию академика А.М.Прохорова
Прямое усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F2-
Т. Т. Басиев, С. В. Гарнов, В. И. Вовченко, А. Я. Карасик, С. М. Климентов, В. А. Конюшкин, С. Б. Кравцов, А. А. Малютин, А. Г. Папашвили, П. А. Пивоваров, Д. С. Чунаев Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация:
Создан усилитель пикосекундных импульсов с выходной мощностью до 1010 Вт и энергией до 30 мДж на длине волны λ = 1180 нм на основе кристаллов с центрами окраски LiF:F2-. Пробный пикосекундный сигнал с λ = 1180 нм, энергией 0.03 мДж и длительностью 3–5 пс создавался ВКР-излучением, полученным при внутрирезонаторном преобразовании частоты в лазере на кристалле KGd(WO4)2:Nd3+, работающем в режиме пассивной синхронизации мод. В качестве наносекундного излучения накачки кристаллов LiF:F2- используется излучение Nd:YLF-лазера (λ = 1053 нм) с последующим усилением в фосфатном стекле ГЛС-22 до энергии 5 Дж. Усиление пробных ВКР-импульсов происходит в четырехкристальном двухкаскадном усилителе на кристаллах LiF:F2- с общей длиной активной среды 360 мм по встречной схеме. Измерены зависимости выходной энергии излучения от энергии накачки и величины входного сигнала.
Поступила в редакцию: 06.04.2006 Исправленный вариант: 25.05.2006
Образец цитирования:
Т. Т. Басиев, С. В. Гарнов, В. И. Вовченко, А. Я. Карасик, С. М. Климентов, В. А. Конюшкин, С. Б. Кравцов, А. А. Малютин, А. Г. Папашвили, П. А. Пивоваров, Д. С. Чунаев, “Прямое усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F2-”, Квантовая электроника, 36:7 (2006), 609–611 [Quantum Electron., 36:7 (2006), 609–611]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe13171 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v36/i7/p609
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 233 | PDF полного текста: | 92 | Первая страница: | 1 |
|