Люминесцентные и генерационные характеристики кристаллов KY(WO4)2:Yb3+ с высоким уровнем легирования

Проведены измерения времени затухания люминесценции с учетом эффектов перепоглощения для кристаллов KY(WO₄)₂:Yb (KYW:Yb) с атомными концентрациями активных ионов от 0.2% до 30%. Измеренное радиационное время жизни ионов YbYb³⁺ составило 233 мкс. В непрерывном режиме генерации достигнута выходная мощность 1.46 и 1.62 Вт с эффективностью 52% и 47% для лазеров на кристаллах KYW:Yb с атомной концентрацией ионов YbYb³⁺ 10% и 30% соответственно. При использовании полупроводникового зеркала с насыщающимся поглотителем (SESAM) в режиме пассивной синхронизации мод были получены импульсы с длительностями 194 и 180 фс на длинах волн 1042 и 1039 нм для кристаллов с концентрациями YbYb³⁺ 10% и 30% соответственно, при этом средняя выходная мощность составила 0.63 и 0.75 Вт.