Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2006, том 36, номер 4, страницы 309–314 (Mi qe13141)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лазеры и усилители

Дифракционная модель полупроводникового усилителя

Д. В. Высоцкий, Н. Н. Ёлкин, А. П. Напартович, А. Г. Сухарев, В. Н. Трощиева

ФГУП ГНЦ РФ — Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований
Аннотация: Создана трехмерная дифракционная модель полупроводникового усилителя на основе гетероструктур, описывающая распространение поля и установление оптической моды с учетом кинетики усиления в рамках диффузионного уравнения для носителей тока в квантовой яме. Приводятся результаты применения этой модели для усилителя с асимметричным широким волноводом и антиволноводной структурой в боковом направлении, не удерживающей поле. Показано, что для такой структуры длина установления основной моды сопоставима с длиной, на которой слабый сигнал увеличивается на два порядка. Анализируется баланс усиления и потерь для установившейся моды в зависимости от ширины волноводных вставок. Изучено влияние этой ширины на свойства основной оптической моды, в том числе на распределение поля в дальней зоне.
Поступила в редакцию: 29.11.2005
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2006, Volume 36, Issue 4, Pages 309–314
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2006v036n04ABEH013141
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.25.Fx


Образец цитирования: Д. В. Высоцкий, Н. Н. Ёлкин, А. П. Напартович, А. Г. Сухарев, В. Н. Трощиева, “Дифракционная модель полупроводникового усилителя”, Квантовая электроника, 36:4 (2006), 309–314 [Quantum Electron., 36:4 (2006), 309–314]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe13141
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v36/i4/p309
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:177
    PDF полного текста:84
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024