| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье) Волоконные световоды, волноводы Фоточувствительность световодов с большой концентрацией GeO2 под действием ближнего УФ излучения (300–350 нм) Е. М. Диановa, А. А. Рыбалтовскийa, С. Л. Семеновa, А. Н. Гурьяновb, В. Ф. Хопинb a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва b Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Нижний Новгород
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2006, Volume 36, Issue 2, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE2006v036n02ABEH013115 
Реферативные базы данных:
    Образец цитирования: Е. М. Дианов, А. А. Рыбалтовский, С. Л. Семенов, А. Н. Гурьянов, В. Ф. Хопин, “Фоточувствительность световодов с большой концентрацией GeO2 под действием ближнего УФ излучения (300–350 нм)”, Квантовая электроника, 36:2 (2006), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|