Формирование омических контактов к SiC путем лазерной абляции

Рассмотрен новый метод образования омического контакта к монокристаллическому карбиду кремния SiC, основанный на лазерной абляции поверхности кристалла. Показано, что при облучении SiC на воздухе или в вакууме излучением лазера на парах меди (длина волны 510.6 нм, длительность импульса 10 нс) аблированные области SiC приобретают способность восстанавливать металлы (Си или Ni) из соответствующих растворов для автокаталитического осаждения. Спектры комбинационного рассеяния аблированных областей свидетельствуют о наличии в них нанокластеров Si размером 10 – 20 нм, которые являются одной из причин восстановления металла. Осажденный металл образует омический контакт к электронному SiC без дополнительного отжига, причем котактное сопротивление слабо зависит от вида металла и составляет 2.3 и 2.1 мОм·см² для Си и Ni соответственно. Обсуждаются механизмы образования омического контакта в результате лазерной абляции.