|
Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 8, страницы 693–696
(Mi qe1303)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Воздействие лазерного излучения на вещество
Формирование омических контактов к SiC путем лазерной абляции
И. И. Власов, A. A. Лялин, Е. Д. Образцова, А. В. Симакин, Г. А. Шафеев Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация:
Рассмотрен новый метод образования омического контакта к монокристаллическому карбиду кремния SiC, основанный на лазерной абляции поверхности кристалла. Показано, что при облучении SiC на воздухе или в вакууме излучением лазера на парах меди (длина волны 510.6 нм, длительность импульса 10 нс) аблированные области SiC приобретают способность восстанавливать металлы (Си или Ni) из соответствующих растворов для автокаталитического осаждения. Спектры комбинационного рассеяния аблированных областей свидетельствуют о наличии в них нанокластеров Si размером 10 – 20 нм, которые являются одной из причин восстановления металла. Осажденный металл образует омический контакт к электронному SiC без дополнительного отжига, причем котактное сопротивление слабо зависит от вида металла и составляет 2.3 и 2.1 мОм·см2 для Си и Ni соответственно. Обсуждаются механизмы образования омического контакта в результате лазерной абляции.
Поступила в редакцию: 30.03.1998
Образец цитирования:
И. И. Власов, A. A. Лялин, Е. Д. Образцова, А. В. Симакин, Г. А. Шафеев, “Формирование омических контактов к SiC путем лазерной абляции”, Квантовая электроника, 25:8 (1998), 693–696 [Quantum Electron., 28:8 (1998), 673–676]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1303 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i8/p693
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 247 | PDF полного текста: | 189 | Первая страница: | 1 |
|