Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 8, страницы 697–700 (Mi qe1300)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество

Диэлектронные сателлиты линии He$_{\beta}$ иона Si XIII в плотной лазерной плазме

И. Ю. Скобелевa, А. Бартникb, Е. Бехарc, Р. Доронc, В. М. Дякинd, Е. Костецкиb, П. Мандельбаумc, А. Я. Фаеновa, Г. Федоровичb, Ж. Л. Швобc, М. Щурекb, Р. Яроцкиb

a Центр данных по спектрам многозарядных ионов, п. Менделеево, Московская обл.
b Институт оптоэлектроники Военно-технического университета, Варшава, Польша
c Институт физики им. Дж. Рака, Еврейский университет, Иерусалим, Израиль
d Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, п. Менделеево, Московская обл.
PDF полного текста (192 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Впервые проведены прецизионные измерения длин волн и идентификация в спектре излучения лазерной плазмы сателлитов линии He$_\beta$ иона Si XIII, обусловленных радиационным распадом уровней $1s3l_13l_2$ иона Si XII, и с лучшей точностью определены длины волн для конфигураций $1s2l_13l_2$. Полученные экспериментальные данные сопоставлены с расчетами, выполненными различными методами. Структура относительных интенсивностей сателлитов $1s3l_13l_2$ указывает на то, что их излучение осуществляется преимущественно из тонкой закритической области плазмы с $N_e > N_e^{cr}$.
Поступила в редакцию: 12.02.1998
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1998, Volume 28, Issue 8, Pages 677–680
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1998v028n08ABEH001300
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 52.25.Nr, 52.50.Jm, 42.62.Fi
Образец цитирования: И. Ю. Скобелев, А. Бартник, Е. Бехар, Р. Дорон, В. М. Дякин, Е. Костецки, П. Мандельбаум, А. Я. Фаенов, Г. Федорович, Ж. Л. Швоб, М. Щурек, Р. Яроцки, “Диэлектронные сателлиты линии He$_{\beta}$ иона Si XIII в плотной лазерной плазме”, Квантовая электроника, 25:8 (1998), 697–700 [Quantum Electron., 28:8 (1998), 677–680]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SkoBarBeh98}
\by И.~Ю.~Скобелев, А.~Бартник, Е.~Бехар, Р.~Дорон, В.~М.~Дякин, Е.~Костецки, П.~Мандельбаум, А.~Я.~Фаенов, Г.~Федорович, Ж.~Л.~Швоб, М.~Щурек, Р.~Яроцки
\paper Диэлектронные сателлиты линии He$_{\beta}$ иона Si XIII в плотной лазерной плазме
\jour Квантовая электроника
\yr 1998
\vol 25
\issue 8
\pages 697--700
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe1300}
\transl
\jour Quantum Electron.
\yr 1998
\vol 28
\issue 8
\pages 677--680
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1998v028n08ABEH001300}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000076478400007}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1300
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i8/p697
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:163
    PDF полного текста:90
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024