Особенности динамики твердотельного лазера с инжекцией оптического сигнала, сдвинутого по частоте от центра линии усиления

Исследована устойчивость стационарного режима инжекционной синхронизации в твердотельном чип-лазере. Показано, что в отличие от полупроводниковых лазеров раскачка релаксационных колебаний имеет место лишь в очень малой части зоны инжекционной синхронизациии. Найдены условия, при которых возникает бистабильность в стационарном режиме инжекционной синхронизации. Установлено, что отстройка частоты инжектируемого сигнала от центра линии усиления приводит к существенной асимметрии режимов биений с разных сторон зоны инжекционной синхронизации. При численном моделировании обнаружены бистабильные квазипериодические режимы, в которых высокочастотные синусоидальные биения промодулированы импульсами самовозбуждающихся релаксационных колебаний.