|
Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 7, страницы 629–630
(Mi qe12915)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Письма в редакцию
Исследование оптических характеристик квантово-размерных халькогенидных структур, выращенных методом лазерно-стимулированной газофазовой эпитаксии
М. С. Бродинa, Н. В. Бондарьa, А. В. Коваленкоb, А. Ю. Мекекечкоb, В. В. Тищенкоa a Институт физики АН Украины, г. Киев
b Днепропетровский государственный университет
Аннотация:
Показано, что лазерно-стимулированная газофазная эпитаксия может использоваться в качестве
технологии для синтеза квантово-размерных структур. Впервые с ее помощью синтезированы одиночные
квантово-размерные структуры типа ZnS – ZnSe – ZnS/GaAs (100) и сверхрешетки ZnS – ZnSe на GaAs(100), а также исследованы их спектры отражения и фотолюминесценции.
Поступила в редакцию: 12.05.1993
Образец цитирования:
М. С. Бродин, Н. В. Бондарь, А. В. Коваленко, А. Ю. Мекекечко, В. В. Тищенко, “Исследование оптических характеристик квантово-размерных халькогенидных структур, выращенных методом лазерно-стимулированной газофазовой эпитаксии”, Квантовая электроника, 20:7 (1993), 629–630 [Quantum Electron., 23:7 (1993), 543–544]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12915 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v20/i7/p629
|
|