О возможности температурного регулирования свойств голограмм в средах на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников

Исследована возможность температурного регулирования свойств голограмм, записанных на монолитных пластинах стеклообразного материала нестехиометрического состава соединения As—S. Показано, что предварительный отжиг до температуры размягчения материала увеличивает его дифракционную чувствительность и уменьшает оптимальную температуру, при которой происходит запись голограмм. Механизм этого явления связан с появлением новой фазы в аморфном материале, проявляющейся в виде зародышевых центров, что привело к возможности управления величиной дифракционной эффективности записанных голограмм путем термического нагрева и освещения образца. Такой способ записи на несколько порядков повышает чувствительность материала и делает возможным импульсную запись голограмм при энергии падающего излучения 10^–3–10^–4 Дж/мм².