Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 6, страницы 1257–1267 (Mi qe12879)  

Эта публикация цитируется в 35 научных статьях (всего в 35 статьях)

Рекомбинационные лазеры на парах химических элементов. II. Генерация на ионных переходах металлов

В. В. Жуков, В. С. Кучеров, Е. Л. Латуш, M. Ф. Сэм

Ростовский государственный университет
Аннотация: С точки зрения общих требований к расположению уровней и условиям разряда рассматриваются механизмы генерации в рекомбинационных ионных лазерах на парах стронция, кальция, бериллия, алюминия, олова и свинца. Основное внимание уделено лазеру на парах стронция. Рассчитана инверсия на переходе с λ = 430,5 нм Sr II с учетом радиационных и столкновительных переходов между уровнями. Показана роль девозбуждающих соударений с медленными электронами в расселении нижнего лазерного уровня. Приведен расчет и результаты экспериментов по определению электронной температуры в послесвечении газового разряда в смесях паров металлов с инертными газами. Обнаружено увеличение электронной температуры с ростом давления паров металла и дано объяснение этому эффекту. Сообщается о получении средней мощности 0,5 Вт на λ = 373,7 нм Ca II и 1 Вт на λ = 430,5 нм Sr II при частоте следования импульсов 5 кГц и КПД 0,1–0,14%. Кратко рассматривается расположение рабочих уровней новых рекомбинационных лазерных переходов в ионных спектрах бериллия, алюминия, олова и свинца.
Поступила в редакцию: 21.07.1976
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, Volume 7, Issue 6, Pages 708–714
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1977v007n06ABEH012879
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.325:621.359.3
PACS: 42.55.Hg


Образец цитирования: В. В. Жуков, В. С. Кучеров, Е. Л. Латуш, M. Ф. Сэм, “Рекомбинационные лазеры на парах химических элементов. II. Генерация на ионных переходах металлов”, Квантовая электроника, 4:6 (1977), 1257–1267 [Sov J Quantum Electron, 7:6 (1977), 708–714]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe12879
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v4/i6/p1257
    Цикл статей
    Эта публикация цитируется в следующих 35 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:213
    PDF полного текста:114
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024