Определение профиля электронной плотности в лазерной плазме по штарковскому уширению спектральных линий в далекой ВУФ области спектра

Измерено штарковское уширение линий H_α (182,17 Å) и H_β (134,95 Å) иона С VI на различных расстояниях от мишени в плазме, возникающей при фокусировке лазерного излучения на плоскую углеродную мишень в пятно диаметром 800 мкм со средним значением потока q~8·10¹¹ Вт/см². Определен профиль N_e на расстояниях 0–250 мкм от мишени. Показана возможность создания плазмы с незначительным градиентом N_e в ограниченной области пространства. Обсуждается вопрос о рефракции излучения далекой ВУФ области спектра с учетом только электронной компоненты плазмы.