Полупроводниковый лазер с электронной накачкой с плавной перестройкой длины волны излучения

Показано, что использование полупроводниковых твердых растворов с градиентом изменения состава вдоль поверхности и электронно-лучевых пушек с клиновидным пучком электронов позволило создать отпаянный лазер с плавной перестройкой длины волны излучения. Импульсная мощность прибора на основе GaAsP достигала 100 Вт в области спектра 0,65–0,81 мкм. Скорость перестройки длины волны излучения могла изменяться вплоть до 1 нм/нс.