Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 9, страницы 2010–2011 (Mi qe12820)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Дефлектор на основе нарушенного полного внутреннего отражения света

С. X. Съйнов, В. X. Съйнов

Центральная лаборатория оптической записи и обработки информации Болгарской АН, София, НРБ
Аннотация: Описан линейный дефлектор света, созданный на основе многократных полных внутренних отражений. Для нарушения полного отражения использован нематический жидкий кристалл МВВА. Исследовано время переключения в зависимости от напряжения электрического поля.
Поступила в редакцию: 01.02.1977
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, Volume 7, Issue 9, Pages 1146–1147
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1977v007n09ABEH012820
Тип публикации: Статья
УДК: 535.394.5
PACS: 85.60.Gz, 61.30.Gd


Образец цитирования: С. X. Съйнов, В. X. Съйнов, “Дефлектор на основе нарушенного полного внутреннего отражения света”, Квантовая электроника, 4:9 (1977), 2010–2011 [Sov J Quantum Electron, 7:9 (1977), 1146–1147]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe12820
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v4/i9/p2010
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024