О возможности накачки Xe2*-лазеров и ламп ВУФ диапазона в послесвечении волны размножения электронов фона

Ранее было показано, что распространение ионизации в газе при давлении порядка атмосферного может происходить не за счет переноса электронов или фотонов, а за счет размножения имеющихся электронов с малой фоновой концентрацией. Рассмотрена возможность использования плазмы, возникающей в послесвечении такой волны размножения фоновых электронов, для накачки плазменных лазеров (в частности, лазеров на эксимерах ксенона Xe₂^*, а также эксиламп. Моделирование показывает, что возможно достижение лазерного эффекта на λ≈172 нм, а также существенное увеличение пиковой удельной мощности спонтанного излучения ксеноновых ламп