Характеристики гетеролазеров видимого диапазона на основе n-GaPx As1–x–pGa1–yAlyPxAs1–x

Исследованы характеристики гетеролазеров видимого диапазона на основе односторонних гетероструктур n-GaP_x As_1–x–pGa_1–yAl_yP_xAs_1–x (x = 0,1–0,45), выращенных методом жидкостной эпитаксии. Гетеролазеры с x < 0,3 имели пороговые плотности тока j_t = 2–3 кА/см² при 77 K и 15–20 кА/см² при 300 K. Приведена зависимость j_t гетеролазеров от энергии излучения фотона при 77 и 300 K. Выходная мощность излучения гетеролазеров с x = 0,2–0,25 в импульсе (500 Гц, 0,1 мкс) составляла 6–8 Вт при 77 K и 2–2,2 Вт при 300 K. При значении x > 0,3 наблюдается существенное увеличение j_t и падение выходной мощности излучения гетеролазеров. Дифференциальная эффективность в лучших гетеролазерах достигала 5–8% при 300 K и 20–25% при 77 K.