Н. Г. Басов, В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский, “Одночастотный инжекционный полупроводниковый лазер на основе GaAs”, Квантовая электроника, 4:8 (1977), 1815–1816 [Sov J Quantum Electron, 7:8 (1977), 1034]

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 8, страницы 1815–1816 (Mi qe12729)

Краткие сообщения

Одночастотный инжекционный полупроводниковый лазер на основе GaAs

Н. Г. Басов, В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

PDF полного текста (356 kB)

Аннотация: Приводятся результаты экспериментальных исследований одиочастотных инжекционных лазеров на основе GaAs, которые работали в непрерывном режиме генерации при температуре 77 K. Лазеры работали на одной продольной моде плоского резонатора в широком диапазоне токов инжекции (вплоть до 7-кратного превышения над пороговым значением), при этом полная мощность изучения составляла более 50 мВт.

Поступила в редакцию: 25.02.1977

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, Volume 7, Issue 8, Pages 1034
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1977v007n08ABEH012729

Тип публикации: Статья

УДК: 621.382.3

PACS: 42.55.Px

Образец цитирования: Н. Г. Басов, В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский, “Одночастотный инжекционный полупроводниковый лазер на основе GaAs”, Квантовая электроника, 4:8 (1977), 1815–1816 [Sov J Quantum Electron, 7:8 (1977), 1034]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe12729

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v4/i8/p1815

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы