| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Краткие сообщения Одночастотный инжекционный полупроводниковый лазер на основе GaAs Н. Г. Басов, В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, Volume 7, Issue 8, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE1977v007n08ABEH012729 
Образец цитирования: Н. Г. Басов, В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский, “Одночастотный инжекционный полупроводниковый лазер на основе GaAs”, Квантовая электроника, 4:8 (1977), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|