| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Поправки Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией («Квантовая электроника», 1998, т.25, №4, с. 305-307) В. И. Козловскийa, П. А. Трубенкоb, Е. М. Диановb, Ю. В. Коростелинa, Я. К. Скасырскийa, П. В. Шапкинa a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1998, Volume 28, Issue 5, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE1998v028n05ABEH001271 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: В. И. Козловский, П. А. Трубенко, Е. М. Дианов, Ю. В. Коростелин, Я. К. Скасырский, П. В. Шапкин, “Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией («Квантовая электроника», 1998, т.25, №4, с. 305-307)”, Квантовая электроника, 25:6 (1998), 576 [Quantum Electron., 28:5 (1998), 468] |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|