|
Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2301–2303
(Mi qe12641)
|
|
|
|
Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87
Неоднородности легирования и поведение компенсации легирования в GaAs и InP n-типа
Д. Врукab, А. Кнауэрab a Центральный институт электронной физики АН ГДР, Берлин
b Центральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин
Аннотация:
Проведено сравнение распределений Sn и халькогенов SuSe в InP и GaAs, полученных с помощью ИК поглощения и эффекта Холла. Обсуждается возможная причина различия между значениями степени компенсации, определенными двумя методами.
Образец цитирования:
Д. Врук, А. Кнауэр, “Неоднородности легирования и поведение компенсации легирования в GaAs и InP n-типа”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2301–2303 [Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1438–1440]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12641 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i11/p2301
|
|