|
Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2295–2297
(Mi qe12639)
|
|
|
|
Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87
Деградационные явления в лазерных диодах
Г. Байстерab, П. Криспинab, Й. Маегеab, Г. Рихтерab, Г. Веберab, И. Рехенбергab a Центральный институт электронной физики АН ГДР, Берлин
b Центральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин
Аннотация:
Ускоренные испытания гетеролазеров GaAlAs/GaAs в согласии с более ранними результатами на светоизлучающих диодах показывают наличие трех различных форм старения: начальной и медленной стадий (обе с логарифмическим ходом во времени) и накладывающейся на них «градации» (повышение выходной мощности). Измерения методом ДЛТС в ходе испытаний в светодиодном режиме выявляют с самого начала образование B-уровней, относимых к антиструктурному дефекту GaAs. B-уровень появляется вновь в диодах, испытанных в лазерном режиме. Для группы из 21 отобранного лазерного диода средняя наработка до отказа составила 9 000 ч при 70°C и 5 мВт (согласно распределению Вейбулла скоростей деградации).
Образец цитирования:
Г. Байстер, П. Криспин, Й. Маеге, Г. Рихтер, Г. Вебер, И. Рехенберг, “Деградационные явления в лазерных диодах”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2295–2297 [Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1435–1436]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12639 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i11/p2295
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 103 | PDF полного текста: | 79 | Первая страница: | 1 |
|