Термоиндуцированные напряжения в полосковых лазерных GaAs/GaAlAs-диодах

Нагрев активной области полосковых лазерных диодов с двойной гетероструктурой GaAlAs/GaAs, вызванный током инжекции, существенно влияет на напряжения в ней. Рост температуры на 10 K может изменить напряжение сдвига на 5–10 МПа. У лазеров с большим тепловым сопротивлением сильный нагрев активной области может вызвать механические напряжения, превышающие технологические (10 МПа) и даже предельные напряжения сдвига для движения дислокаций (20 МПа).