|
Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2284–2287
(Mi qe12636)
|
|
|
|
Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87
Омическое сопротивление металлических контактов с двойными гетероструктурами GalnAsP/lnP как функция состава приконтактного слоя
К. Фогель, Д. Малы, Р. Пухерт, У. Шаде Центральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин
Аннотация:
Изучены характеристики низкоомных контактов Au–Cr–Au с четверным твердым раствором GalnAsP, изопериодическим с InP, в зависимости от состава. Контакты применены в инжекционных лазерах диапазона 1,3 мкм. Минимальное удельное сопротивление (2·10– 5 Ом · см2) получено на слое GalnAs с дырочной концентрацией ~1019 см– 3.
Образец цитирования:
К. Фогель, Д. Малы, Р. Пухерт, У. Шаде, “Омическое сопротивление металлических контактов с двойными гетероструктурами GalnAsP/lnP как функция состава приконтактного слоя”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2284–2287 [Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1429–1430]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12636 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i11/p2284
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 207 | PDF полного текста: | 59 | Первая страница: | 1 |
|