|
Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2280–2283
(Mi qe12635)
|
|
|
|
Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87
Многослойные омические контакты CrPtCr/NiAu с GaAs p-типа в лазерных гетероструктурах
И. Войчик, Г. Стареев, А. Барц, М. Доманский Институт электронной технологии, Варшава
Аннотация:
Для контакта с p-стороной GaAs импульсных лазерных гетероструктур использована многослойная металлизация CrPtCr/NiAu с магнетронным распылением. Термообработка при 490°C в течение 3 мин ведет к формированию надежного омического контакта с удельным сопротивлением 10– 6–10– 5Ом · см2 в зависимости от легирования подложки. Методы масс-спектроскопии вторичных ионов и обратного резерфордовского рассеяния позволили рассмотреть механизм образования контакта.
Образец цитирования:
И. Войчик, Г. Стареев, А. Барц, М. Доманский, “Многослойные омические контакты CrPtCr/NiAu с GaAs p-типа в лазерных гетероструктурах”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2280–2283 [Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1427–1428]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12635 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i11/p2280
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 158 | PDF полного текста: | 71 | Первая страница: | 1 |
|