|
Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2276–2279
(Mi qe12634)
|
|
|
|
Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87
Зависимость интенсивности фотолюминесценции от качества подготовки поверхности и свойств InP n-типа
А. Кнауэр, 3. Грамлих, Р. Штаске Центральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин
Аннотация:
Проведено комплексное изучение связи интенсивности фотолюминесценции и эффективного времени жизни носителей с качеством обработки поверхности пластин (нарушения, толщина оксидного слоя) и исходными свойствами материала (поверхностные и объемные дефекты, неоднородность распределения
легирующей примеси).
Образец цитирования:
А. Кнауэр, 3. Грамлих, Р. Штаске, “Зависимость интенсивности фотолюминесценции от качества подготовки поверхности и свойств InP n-типа”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2276–2279 [Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1424–1426]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12634 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i11/p2276
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 102 | PDF полного текста: | 61 | Первая страница: | 1 |
|