Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2276–2279 (Mi qe12634)  

Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87

Зависимость интенсивности фотолюминесценции от качества подготовки поверхности и свойств InP n-типа

А. Кнауэр, 3. Грамлих, Р. Штаске

Центральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин
Аннотация: Проведено комплексное изучение связи интенсивности фотолюминесценции и эффективного времени жизни носителей с качеством обработки поверхности пластин (нарушения, толщина оксидного слоя) и исходными свойствами материала (поверхностные и объемные дефекты, неоднородность распределения легирующей примеси).
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, Volume 18, Issue 11, Pages 1424–1426
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1988v018n11ABEH012634
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.4
PACS: 78.55.Cr, 72.20.Jv


Образец цитирования: А. Кнауэр, 3. Грамлих, Р. Штаске, “Зависимость интенсивности фотолюминесценции от качества подготовки поверхности и свойств InP n-типа”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2276–2279 [Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1424–1426]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe12634
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i11/p2276
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:102
    PDF полного текста:61
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024