|
Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2273–2275
(Mi qe12633)
|
|
|
|
Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87
Расчет выхода лазерных диодов по характеристикам материала подложки (100) InP, используемого для эпитаксиального выращивания ДГС
А. Бервольф, П. Эндерс, А. Кнауэр, Д. Линке, У. Цаймер Центральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин
Аннотация:
Показана связь выхода годных лазерных диодов с плотностью дислокаций и их распределением в подложке. Описана методика выявления ямок травления и их связь с дефектами подложки.
Образец цитирования:
А. Бервольф, П. Эндерс, А. Кнауэр, Д. Линке, У. Цаймер, “Расчет выхода лазерных диодов по характеристикам материала подложки (100) InP, используемого для эпитаксиального выращивания ДГС”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2273–2275 [Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1422–1424]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12633 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i11/p2273
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 179 | PDF полного текста: | 85 | Первая страница: | 1 |
|