Жидкофазное эпитаксиальное выращивание лазерных структур GalnAsP/lnP

Модифицированный однофазный метод жидкофазной эпитаксии разработан с применением оригинального варианта ростовой кассеты и использован для выращивания двойных гетероструктур GalnAsP/InP для лазеров диапазонов 1,3 и 1,55 мкм. Основные свойства диодов с широким контактом (мощность излучения и пороговая плотность тока) рассматриваются как характеристики качества гетероструктур при различном устройстве активных и волноводных слоев. Качество структур подтверждено изготовлением лазерных диодов следующих типов: полосковые с оксидной изоляцией, с гребенчатым волноводом и планарные зарощенные с двойным каналом.