|
Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2262–2265
(Mi qe12630)
|
|
|
|
Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87
Высокоэффективные InGaAsP/lnP-гетероструктуры диапазона 1,3 мкм, полученные «двухфазным» жидкофазным методом
И. Новотный, О. Прохазкова, Ф. Шробар, И. Зелинка Институт радиотехники и электроники АН ЧССР, Прага
Аннотация:
Описано жидкофазное эпитаксиальное выращивание двухфазным методом гетероструктур InGaAsP/InP для изготовления инжекционных лазеров диапазона 1,3 мкм. Изучены гетероструктуры трех типов: двойные, с добавочным четверным слоем (λ ≈ 1,1 мкм), прилегающим к активному, и с двумя четверными слоями между активным слоем и ограничивающими слоями InP. С точки зрения пороговой плотности тока, излучаемой оптической мощности и воспроизводимости, конфигурация с двумя побочными четверными слоями оказывается наилучшей.
Образец цитирования:
И. Новотный, О. Прохазкова, Ф. Шробар, И. Зелинка, “Высокоэффективные InGaAsP/lnP-гетероструктуры диапазона 1,3 мкм, полученные «двухфазным» жидкофазным методом”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2262–2265 [Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1415–1417]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12630 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i11/p2262
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 114 | PDF полного текста: | 64 | Первая страница: | 1 |
|