|
Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2257–2261
(Mi qe12629)
|
|
|
|
Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87
Металлоорганическая газофазная эпитаксия (GaAl)As для лазерных диодов на 0,85 мкм
К. Якобсab, Ф. Буггеab, Л. Бутцкеab, Л. Леманнab, Р. Шимкоab a Завод телевизионной аппаратуры, Берлин
b Университет им. А. Гумбольдта, Берлин
Аннотация:
Металлоорганическая газофазная эпитаксия использована для выращивания полосковых гетеролазерных диодов, раньше изготовлявшихся методом жидкофазной эпитаксии. Изучены основные соотношения между экспериментальными параметрами (входные парциальные давления, температуры) и свойствами материалов (толщины, составы твердых растворов, концентрации носителей). Сделан вывод о полном согласии с механизмом роста, управляемом газофазной диффузией. Приведены результаты, получаемые регулярно при выращивании GaAs. Гетеролазеры, изготовленные методом МОГФЭ, успешно конкурируют с лазерами, изготовлявшимися до сих пор методом ЖФЭ, включая аспекты деградации и надежности.
Образец цитирования:
К. Якобс, Ф. Бугге, Л. Бутцке, Л. Леманн, Р. Шимко, “Металлоорганическая газофазная эпитаксия (GaAl)As для лазерных диодов на 0,85 мкм”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2257–2261 [Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1412–1415]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12629 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i11/p2257
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 232 | PDF полного текста: | 83 | Первая страница: | 1 |
|