Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 5, страницы 1121–1123 (Mi qe12590)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Перестройка частоты излучения неодимового лазера методом резонансной накачки кристаллов ИАГ, активированных ионами Tm3+ и Ho3+

Б. М. Антипенко, С. П. Воронин, А. А. Мак, В. А. Письменный, В. Н. Поликарпова, Ю. В. Томашевич
Поступила в редакцию: 02.11.1976
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, Volume 7, Issue 5, Pages 633–634
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1977v007n05ABEH012590
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825:621.314.26
PACS: 42.55.Rz


Образец цитирования: Б. М. Антипенко, С. П. Воронин, А. А. Мак, В. А. Письменный, В. Н. Поликарпова, Ю. В. Томашевич, “Перестройка частоты излучения неодимового лазера методом резонансной накачки кристаллов ИАГ, активированных ионами Tm3+ и Ho3+”, Квантовая электроника, 4:5 (1977), 1121–1123 [Sov J Quantum Electron, 7:5 (1977), 633–634]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe12590
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v4/i5/p1121
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:153
    PDF полного текста:89
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024