Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 11, страницы 2511–2513 (Mi qe12528)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Краткие сообщения

О влиянии сильного магнитного поля на излучение инжекционного лазера на основе InP

Л. П. Зверевab, И. Исмаиловab, С. А. Негашевab

a Уральский государственный университет им. А. М. Горького, Свердловск
b Физико-технический институт им. С. У. Умарова ТаджССР, Душанбе
Поступила в редакцию: 05.05.1976
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, Volume 6, Issue 11, Pages 1382–1383
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1976v006n11ABEH012528
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.35
PACS: 42.60.Jf


Образец цитирования: Л. П. Зверев, И. Исмаилов, С. А. Негашев, “О влиянии сильного магнитного поля на излучение инжекционного лазера на основе InP”, Квантовая электроника, 3:11 (1976), 2511–2513 [Sov J Quantum Electron, 6:11 (1976), 1382–1383]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe12528
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i11/p2511
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:120
    PDF полного текста:74
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024