Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 6, страницы 550–552 (Mi qe125)  

Активные среды

Влияние добавок ксенона на разрядные и генерационные характеристики ТЕА СО2-лазера

Л. П. Бабичab, И. М. Куцыкab

a Всероссийский НИИ экспериментальной физики, Арзамас-16 Нижегородской обл.
b Отделение № 4 Московского инженерно-физического института, Арзамас-16 Нижегородской обл.
Аннотация: Методом численного моделирования исследован механизм влияния малых добавок Хе на разрядные и генерационные характеристики импульсных электроразрядных СО2-лазеров атмосферного давления. Показано, что добавки Хе в лазерные смеси могут приводить к положительным эффектам, позволяя уменьшать разрядное напряжение и улучшать генерационные характеристики.
Поступила в редакцию: 17.09.1993
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1994, Volume 24, Issue 6, Pages 507–509
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1994v024n06ABEH000125
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.60.By


Образец цитирования: Л. П. Бабич, И. М. Куцык, “Влияние добавок ксенона на разрядные и генерационные характеристики ТЕА СО2-лазера”, Квантовая электроника, 21:6 (1994), 550–552 [Quantum Electron., 24:6 (1994), 507–509]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe125
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v21/i6/p550
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:108
    PDF полного текста:63
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024