|
Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 10, страницы 2012–2015
(Mi qe12475)
|
|
|
|
Твердотельные и полупроводниковые лазеры
Высокочастотная аналоговая модуляция полупроводникового лазера
Н. Н. Евтихиев, А. В. Лукашин, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев Московский инженерно-физический институт
Аннотация:
Представлены результаты исследования высокочастотных характеристик GaAlAs-инжекционных лазеров в режиме непрерывной модуляции. Измерения оптической амплитудно-частотной характеристики и частотной зависимости полного сопротивления дали возможность определить эквивалентные схемы двух разновидностей лазеров – полоскового и типа «канал в подложке», что позволяет проводить оптимизацию входных цепей лазерного излучателя. Показано, что лазеры канального типа обладают высокой линейностью модуляционной характеристики.
Поступила в редакцию: 17.02.1988
Образец цитирования:
Н. Н. Евтихиев, А. В. Лукашин, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, “Высокочастотная аналоговая модуляция полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 15:10 (1988), 2012–2015 [Sov J Quantum Electron, 18:10 (1988), 1261–1263]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12475 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i10/p2012
|
|