|
Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 9, страницы 1800–1801
(Mi qe12434)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Активные среды и методы накачки
Особенности концентрационного тушения люминесценции с уровня 4S3/2 иона Er3+ в кристалле (Y1 – xErx)3Al2O5
Т. Т. Басиев, Ш. Джеорджеску, В. И. Жеков, В. Лупей, Т. М. Мурина, A. М. Прохоров, М. И. Студеникин Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация:
Экспериментально исследуется безызлучательная релаксация возбуждения с уровня 4S3/2 иона Er3+ в Y3Al5O12. Показано, что тушение возбуждения с уровня 4S3/2 не может быть описано с помощью единого микропараметра на всех стадиях распада возбуждения.
Поступила в редакцию: 07.01.1988
Образец цитирования:
Т. Т. Басиев, Ш. Джеорджеску, В. И. Жеков, В. Лупей, Т. М. Мурина, A. М. Прохоров, М. И. Студеникин, “Особенности концентрационного тушения люминесценции с уровня 4S3/2 иона Er3+ в кристалле (Y1 – xErx)3Al2O5”, Квантовая электроника, 15:9 (1988), 1800–1801 [Sov J Quantum Electron, 18:9 (1988), 1123–1125]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12434 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i9/p1800
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 211 | PDF полного текста: | 98 | Первая страница: | 1 |
|