Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 4, страницы 837–839 (Mi qe12361)  

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Краткие сообщения

Эффективные пассивные затворы неодимовых лазеров на основе кристаллов LiF:F2

Т. Т. Басиев, Ю. К. Воронько, С. Б. Миров, В. В. Осико, A. М. Прохоров

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Описаны характеристики пассивных твердотельных затворов на основе кристаллов LiF с F2-центрами окраски. Созданные затворы имели 14–18-кратный контраст между оптическими плотностями в начальном и просветленном состояниях при высоком начальном коэффициенте поглощения 0,6 см–1. Приведены характеристики одно-, двух- и многоимпульсных режимов генерации лазера на АИГ–Nd3+ (λ = 1,064 мкм) с использованием разработанных затворов на LiF:F2 с различным начальным пропусканием. КПД в режиме модуляции добротности резонатора составлял в зависимости от пропускания затворов 50–70 % от КПД в режиме свободной генерации при пиковой мощности генерации до 4 МВт. Импульсы выходного излучения имели длительность 25 нс и обладали высокой амплитудной и временнóй стабильностью.
Поступила в редакцию: 28.08.1981
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, Volume 12, Issue 4, Pages 530–531
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1982v012n04ABEH012361
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.325:535.8
PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 85.20.Vg


Образец цитирования: Т. Т. Басиев, Ю. К. Воронько, С. Б. Миров, В. В. Осико, A. М. Прохоров, “Эффективные пассивные затворы неодимовых лазеров на основе кристаллов LiF:F2”, Квантовая электроника, 9:4 (1982), 837–839 [Sov J Quantum Electron, 12:4 (1982), 530–531]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe12361
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i4/p837
  • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024