Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 7, страницы 1462–1464 (Mi qe12327)  
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Температурная зависимость коэффициента усиления в Y3Al5O12:Cr3+, Tm3+–Ho3+

А. А. Никитичев
PDF полного текста (543 kB) Список цитирования (10)
Аннотация: Изучено влияние концентрации соактиваторов на температурную зависимость коэффициента усиления на переходе 5I7–5I8 иона Ho3+ (λГ ≈ 2,09 мкм) в кристаллах Y3Al5O12:Cr3+,Tm3+–Ho3+. Показано, что температурно-активируемым процессом разрушения инверсии является суммирование возбуждений верхнего лазерного уровня и 3F4 уровня Tm3+. Прямыми измерениями установлено, что между состояниями 3F4 (Tm) и 5I7 (Ho) реализуется режим сильного взаимодействия.
Поступила в редакцию: 12.08.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, Volume 18, Issue 7, Pages 918–919
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1988v018n07ABEH012327
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.2
PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh, 42.70.Hj


Образец цитирования: А. А. Никитичев, “Температурная зависимость коэффициента усиления в Y3Al5O12:Cr3+, Tm3+–Ho3+”, Квантовая электроника, 15:7 (1988), 1462–1464 [Sov J Quantum Electron, 18:7 (1988), 918–919]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe12327
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i7/p1462
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:124
    PDF полного текста:68
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024