Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 7, страницы 1381–1385 (Mi qe12312)  

Лазеры и физические процессы в них

Расчет поглощения излучения накачки в активном элементе из неодимового стекла

Н. В. Данильчук, М. Б. Левин, В. Н. Шаповалов
Аннотация: Проведен расчет поглощения излучения накачки в активных элементах (АЭ) из неодимовых фосфатных и силикатных стекол различных марок в рамках модели, учитывающей многократное прохождение излучения накачки через АЭ и импульсную лампу с последующим переизлучением. Проанализирован практический вариант лазерного осветителя с диффузно отражающим покрытием, содержащего прямую трубчатую лампу и цилиндрический АЭ. Рассчитан вклад отдельных полос и фонового поглощения активатора в общее поглощение в АЭ при варьировании в широких пределах размеров АЭ и концентрации неодима. Показано, что при увеличении концентрации неодима поглощение возбуждающего излучения в АЭ в спектральной области 0,4–0,95 мкм может достигать 0,6–0,8 со вкладом фоновой составляющей 20%. Методика расчета может быть применена также к стеклам с несколькими активаторами.
Поступила в редакцию: 13.04.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, Volume 18, Issue 7, Pages 867–870
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1988v018n07ABEH012312
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826:535.34
PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.70.Ce, 42.70.Hj, 42.60.Lh


Образец цитирования: Н. В. Данильчук, М. Б. Левин, В. Н. Шаповалов, “Расчет поглощения излучения накачки в активном элементе из неодимового стекла”, Квантовая электроника, 15:7 (1988), 1381–1385 [Sov J Quantum Electron, 18:7 (1988), 867–870]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe12312
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i7/p1381
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:137
    PDF полного текста:81
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024