Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 6, страницы 1277–1281 (Mi qe12297)  
Лазеры и лазерные среды

Физика энергонакопления в активной среде BaEr2F8:Tm, Ho

Б. М. Антипенко, А. С. Глебов, Р. В. Думбравяну
PDF полного текста (796 kB)
Аннотация: Показано, что фактором, осуществляющим дифференциацию гольмийсодержащих активных сред по их энергетике, является степень обращения резонансных процессов суммирования возбуждений накопительных уровней 4I13/2 (Er), 3F4 (Tm) и 5I7 (Ho).
Поступила в редакцию: 15.04.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, Volume 18, Issue 6, Pages 806–808
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1988v018n06ABEH012297
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.2
PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 42.60.Jf, 42.60.Lh


Образец цитирования: Б. М. Антипенко, А. С. Глебов, Р. В. Думбравяну, “Физика энергонакопления в активной среде BaEr2F8:Tm, Ho”, Квантовая электроника, 15:6 (1988), 1277–1281 [Sov J Quantum Electron, 18:6 (1988), 806–808]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe12297
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i6/p1277
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:138
    PDF полного текста:63
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024