Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 6, страницы 1240–1248 (Mi qe12292)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Лазеры и лазерные среды

Исследование динамики населенности уровня $^4I_{11/2}$ ионов Nd$^{3+}$ в стеклах по поглощению на длинах волн 0,66 и 1,06 мкм

Н. Е. Быковский, В. В. Иванов, Ю. В. Сенатский, Г. В. Склизков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: При самофокусировке субнаносекундного лазерного импульса ($\lambda$ = 1,064 мкм) в фосфатных и силикатных неддимовых стеклах обнаружен скачок поглощения на $\lambda$ = 0,66 и 1,054 мкм. Поглощение достигает 0,1–0,15 см$^{-1}$, время релаксации $\gtrsim 10^{-8}$ с. Поглощение не было зарегистрировано на $\lambda$ = 0,56 мкм и в стеклах без неодима. Селективное поглощение связывается с заселением нижнего уровня рабочего перехода иона неодима $^4I_{11/2}$ при нелинейных процессах, вызванных самофокусировкой.
Поступила в редакцию: 29.06.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, Volume 18, Issue 6, Pages 783–788
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1988v018n06ABEH012292
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.826.038.825.2
PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh, 42.70.Hj, 42.70.Ce, 42.65.Jx
Образец цитирования: Н. Е. Быковский, В. В. Иванов, Ю. В. Сенатский, Г. В. Склизков, “Исследование динамики населенности уровня $^4I_{11/2}$ ионов Nd$^{3+}$ в стеклах по поглощению на длинах волн 0,66 и 1,06 мкм”, Квантовая электроника, 15:6 (1988), 1240–1248 [Sov J Quantum Electron, 18:6 (1988), 783–788]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BykIvaSen88}
\by Н.~Е.~Быковский, В.~В.~Иванов, Ю.~В.~Сенатский, Г.~В.~Склизков
\paper Исследование динамики населенности уровня $^4I_{11/2}$ ионов Nd$^{3+}$ в стеклах по поглощению на длинах волн 0,66 и 1,06 мкм
\jour Квантовая электроника
\yr 1988
\vol 15
\issue 6
\pages 1240--1248
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe12292}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1988
\vol 18
\issue 6
\pages 783--788
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1988v018n06ABEH012292}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1988P648300024}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe12292
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i6/p1240
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:115
    PDF полного текста:94
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024