«Мультиплеты» связанных уровней в фотоэлектронных спектрах надпороговой ионизации

Исследовано «мультиплетное» расщепление пиков в фотоэлектронных спектрах надпороговой ионизации. Расщепление объяснено с помощью численного анализа волновых функций для модели атома, ионизуемого интенсивным лазерным излучением, как отображения далеких от резонанса связанных уровней, которые нестационарно и адиабатически заселяются лазерным импульсом, а затем ионизуются. Высота мультиплетных пиков по отношению к истинным многофотонным пикам зависит от формы лазерного импульса.