Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 6, страницы 1120–1124 (Mi qe12274)  

IX Вавиловская конференция по нелинейной оптике. Новосибирск, 1987 г.

Роль пространственного заряда в надпороговой ионизации

М. Кранс

Национальный центр научных исследований II, Opсе, Франция
Аннотация: Исследуется влияние пространственного заряда облака остающихся ионов на энергетическое и угловое распределения электронов при надпороговой оптической ионизации. Показано, что это влияние может объяснить характерное снижение интенсивности первых (с энергиями, ближайшими к пороговой энергии ионизации) пиков в распределении электронов по энергиям. Механизмом такого влияния может быть захват электронов заряженным облаком остающихся в объеме взаимодействия ионов. Отмечается также влияние пространственного заряда ионов на угловое распределение вылетающих при ионизации электронов.
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, Volume 18, Issue 6, Pages 718–720
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1988v018n06ABEH012274
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 541.141.7:621.373.826
PACS: 32.80.Fb, 32.80.Pj


Образец цитирования: М. Кранс, “Роль пространственного заряда в надпороговой ионизации”, Квантовая электроника, 15:6 (1988), 1120–1124 [Sov J Quantum Electron, 18:6 (1988), 718–720]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe12274
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i6/p1120
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024