Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке ZnSe была выращена квантоворазмерная структура из 115 квантовых ям состава ZnCdSe/ZnSe. На основе этой структуры был изготовлен резонатор, включающий в себя часть исходной подложки. Получена лазерная генерация с продольной накачкой сканирующим электронным пучком с энергией электронов E_e = 40 — 70 кэВ. При температуре T = 80 К и E_e = 65 кэВ пороговая плотность тока составила 60 А/см², а выходная мощность равнялась 0.15 Вт на длине волны 465 нм. При T = 300 К генерации была достигнута (λ = 474 нм) на переходах в подложке ZnSe.