В. И. Козловский, П. А. Трубенко, Е. М. Дианов, Ю. В. Коростелин, Я. К. Скасырский, П. В. Шапкин, “Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией”, Квантовая электроника, 25:4 (1998), 305–307 [Quantum Electron., 28:4 (1998), 294

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 4, страницы 305–307 (Mi qe1226)

Лазеры

Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией

В. И. Козловский^a, П. А. Трубенко^b, Е. М. Дианов^b, Ю. В. Коростелин^a, Я. К. Скасырский^a, П. В. Шапкин^a

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва

PDF полного текста (181 kB)

Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке ZnSe была выращена квантоворазмерная структура из 115 квантовых ям состава ZnCdSe/ZnSe. На основе этой структуры был изготовлен резонатор, включающий в себя часть исходной подложки. Получена лазерная генерация с продольной накачкой сканирующим электронным пучком с энергией электронов E_e = 40 — 70 кэВ. При температуре T = 80 К и E_e = 65 кэВ пороговая плотность тока составила 60 А/см², а выходная мощность равнялась 0.15 Вт на длине волны 465 нм. При T = 300 К генерации была достигнута (λ = 474 нм) на переходах в подложке ZnSe.

Поступила в редакцию: 14.01.1998

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1998, Volume 28, Issue 4, Pages 294–296
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1998v028n04ABEH001226

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.55.Px, 78.66.Fd, 78.66.Hf, 85.30.St

Образец цитирования: В. И. Козловский, П. А. Трубенко, Е. М. Дианов, Ю. В. Коростелин, Я. К. Скасырский, П. В. Шапкин, “Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией”, Квантовая электроника, 25:4 (1998), 305–307 [Quantum Electron., 28:4 (1998), 294–296]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe1226

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i4/p305

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы