|
Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 4, страницы 793–795
(Mi qe12235)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Краткие сообщения
Рекомбинационный лазер на плазменной струе гелия и ксенона
И. И. Муравьев, А. М. Шевнин, А. М. Янчарина, Г. С. Евтушенко СКБ НП «Оптика» CO АН СССР, Томск
Аннотация:
Получена генерация на переходе с λ = 2,026 мкм Хе I в импульсной гелий-ксеноновой плазменной струе, вылетающей из разрядного канала через сопло или сопловую решетку со скоростью ~105 см/с. Исследованы пространственно-временные зависимости мощности генерации от давления и состава смеси, энерговклада, формы и длительности импульса тока. Установлено, что при достаточно высоком давлении гелия ((pНе = 100–300 мм рт. ст.) осуществляется рекомбинационный механизм заселения рабочих уровней.
Поступила в редакцию: 20.07.1981
Образец цитирования:
И. И. Муравьев, А. М. Шевнин, А. М. Янчарина, Г. С. Евтушенко, “Рекомбинационный лазер на плазменной струе гелия и ксенона”, Квантовая электроника, 9:4 (1982), 793–795 [Sov J Quantum Electron, 12:4 (1982), 493–495]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12235 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i4/p793
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 160 | PDF полного текста: | 76 | Первая страница: | 1 |
|