| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Краткие сообщения Влияние начального инициирования на параметры H2/F2-лазера А. С. Башкин, А. Н. Ораевский, В. Н. Томашов, Н. Н. Юрышев Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, Volume 12, Issue 3, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE1982v012n03ABEH012204 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: А. С. Башкин, А. Н. Ораевский, В. Н. Томашов, Н. Н. Юрышев, “Влияние начального инициирования на параметры H2/F2-лазера”, Квантовая электроника, 9:3 (1982), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|